9급 국가직 공무원 전자공학개론(2008. 4. 12.) 시험일자 : 2008년 4월 12일
1. 논리식 을 간소화 한 것으로 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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2. 다음 회로는 제너전압이 5 [V]인 제너 다이오드를 이용한 정전압 회로이다. 저항 1 [kΩ]에 흐르는 전류 IR [mA]의 근사값 중 가장 옳은 것은? (단, 트랜지스터의 β＝200이고, 순방향 바이어스된 베이스－이미터간 전압 VBE＝0.6 [V]이다)
- ① 10
- ② 5
- ③ 3
- ④ 1
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3. 다음 그림과 같은 첨두치 전압(peak－to－peak voltage)이 20 [V]인 60 [Hz]의 정현파가 20 [Ω] 저항기에 인가되었다면, 저항기에서 소비되는 평균전력[W]은?
- ① 2.5
- ② 5
- ③ 20
- ④ 400
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4. RLC 직렬 공진회로와 RLC 병렬 공진회로의 특징을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
- ① 직렬 공진회로의 경우에 용량성(capacitive) 리액턴스가 유도성(inductive) 리액턴스보다 크면 전체 리액턴스 성분의 값은 음(－)이 된다.
- ② 전압원으로 구동되는 직렬 공진회로의 경우에 공진 주파수에서 전류가 최대가 된다.
- ③ 전류원으로 구동되는 병렬 공진회로의 경우에 공진 주파수에서 어드미턴스가 최대가 된다.
- ④ 공진회로의 대역폭이 넓을수록 양호도(Q : quality factor)는 작아진다.
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5. 내부 저항이 10 [Ω]인 10 [V]의 직류전압원이 있다. 이 전원에 적절한 부하를 연결하여 부하에 최대전력을 전달하고자 할 때, 전달할 수 있는 최대전력값과 최대전력이 전달될 때의 전력전달효율은? (단, 전력전달효율＝부하전력/전원의 공급전력)
- ① 최대전력값 2.5 [W], 전달효율 50%
- ② 최대전력값 2.5 [W], 전달효율 75%
- ③ 최대전력값 2.5 [W], 전달효율 100%
- ④ 최대전력값 5 [W], 전달효율 100%
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6. 이상적인 연산증폭기(operational amplifier)를 이용하여 구성한 다음의 회로에서 정현파 신호가 Vi에 인가되고 출력전압을 Vo라 할 때, 회로의 동작은?
- ① 대수증폭기
- ② 반파정류기
- ③ 전파정류기
- ④ 피크검출기
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7. 디지털 TV 화면을 전송하려고 한다. 한 화면을 나타내기 위해 400 × 500 화소(pixel)를 사용하는데, 각 화소는 6개의 세기 값 중 하나를 갖는다고 하자. 초당 10화면을 전송하는 경우 화면의 손상 없이 디지털화한 모든 데이터를 전송하기 위한 송신측에서의 최소 데이터 전송률은?
- ① 200 kbps
- ② 12Mbps
- ③ 600 kbps
- ④ 6Mbps
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8. 이상적인 연산증폭기(operational amplifier)를 이용한 다음 회로에서 Vo＝－50 Vi가 되기 위한 저항 R[kΩ]의 값은?
- ① 10/18
- ② 10/28
- ③ 10/38
- ④ 10/48
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9. 다음 트랜지스터 회로에서 Ic＝0.4 [mA]로 하려면 저항 R[MΩ]의 근사값 중 가장 옳은 것은? (단, VBE＝0.6 [V], 트랜지스터의 β는 200으로 한다)
- ① 0.54
- ② 0.27
- ③ 5.4
- ④ 2.7
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10. 논리회로 출력과 논리식의 결과가 동일하지 않은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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11. 다음 회로가 정상상태에 도달하였을 때, 2 [Ω]의 저항을 통해 흐르는 전류 I [A]는?
- ① 1
- ② 2
- ③ 3
- ④ 4
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12. NAND 게이트를 이용해 구성한 다음의 논리회로 중 NOR 게이트에 해당하는 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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13. 저항의 크기가 20 [Ω]인 아래와 같은 원기둥 모양의 저항이 있다. 이 저항의 끝을 잡고 길이를 2배로 늘이면 저항값[Ω]은? (단, 저항을 늘이더라도 부피는 일정하게 유지되며, 늘어난 후에도 원기둥 모양이 되고, 재질의 성질은 변하지 않는다고 가정한다)
- ① 80
- ② 40
- ③ 20
- ④ 10
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14. 공통이미터(common emitter)회로에 사용되는 실리콘(Si) 확산형 npn BJT(bipolar junction transistor)의 동작에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ① 차단영역(cutoff region)은 베이스 － 이미터 접합과 베이스 - 컬렉터 접합이 모두 역방향 바이어스 상태이며, 베이스 전류 및 컬렉터 전류가 거의 흐르지 않는 영역을 말한다.
- ② 활성영역(active region)은 선형증폭기로 동작할 때 중요한 영역으로, 최대전류이득을 얻기 위해서는 베이스－이미터 접합은 역방향 바이어스, 베이스 － 컬렉터 접합은 순방향 바이어스를 걸어 주는 영역을 말한다.
- ③ 포화영역(saturation region)은 베이스 － 이미터 접합과 베이스 － 컬렉터 접합이 모두 순방향 바이어스 상태이며, 스위치로 동작할 때 중요한 영역이다.
- ④ 베이스 － 이미터 간 전압 VBE와 베이스 전류 IB의 특성은 pn 다이오드의 전압－전류 특성과 유사하다.
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15. 저항값이 6 [Ω]인 세 개의 저항들을 남김없이 모두 사용하여 여러가지의 합성저항 값을 얻고자 한다. 직렬연결과 병렬연결 방법을 여러 가지로 조합해 보면 모두 네 가지의 합성 저항값을 얻을 수 있다. 이 방법으로 얻을 수 없는 저항값[Ω]은?
- ① 2
- ② 4
- ③ 9
- ④ 12
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16. 다음 회로는 이상적인 연산증폭기(operational amplifier)를 이용한 필터(filter) 회로이다. V1과 V2에 직류(DC) 전압이 인가될 때 출력 Vo는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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17. 다음 그림은 1차 RC 고역통과필터(high－pass filter)에 인가한 입력 펄스 파형과 그 때 얻어진 출력 파형을 그린 것이다. 필터의 차단주파수 fc와 인가한 펄스 파형의 주기(T)의 관계로 옳은 것은?
- ① 1/2πfc≪T
- ② 1/2πfc≈T
- ③ 1/2πfc≫T
- ④ 관계가 없다.
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18. 이상적인 다이오드를 사용하여 다음과 같이 구성한 회로에 구형파 펄스전압 Vi(t)를 인가할 때, 회로의 출력전압 파형 Vo(t)은? (단, V1＝V/3 이고 커패시터의 방전시간은 입력전압 파형의 주기보다 충분히 크다)
- ①
- ②
- ③
- ④
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19. 다음 회로에서 t < 0일 때 스위치가 ‘a’ 위치에서 정상상태에 도달한 후 t＝0일 때 스위치를 ‘b’의 위치로 움직인다면, t >0일 때 회로에 흐르는 전류 i(t)는? (단, τ는 회로의 시상수(time constant)이다)
- ①
- ②
- ③
- ④
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20. 다음 CMOS 회로의 입력단자 A와 B에 5 [V](로직레벨 ‘1’) 혹은 0 [V](로직레벨 ‘0’)의 전압이 인가된다. 이 논리회로의 이름은?
- ① OR 게이트
- ② AND 게이트
- ③ NOR 게이트
- ④ NAND 게이트
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