전자기사(2017. 9. 23.) 시험일자 : 2017년 9월 23일
1과목 : 전기자기학
1. 영구자석 재료로 적당한 것은?
- ① 잔류자속밀도(Br)는 크고 보자력(Hc)은 작아야 한다.
- ② 잔류자속밀도(Br)는 작고 보자력(Hc)은 커야 한다.
- ③ 잔류자속밀도(Br)와 보자력(Hc)은 모두 작아야 한다.
- ④ 잔류자속밀도(Br)와 보자력(Hc)은 모두 커야 한다.
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2. B-H 곡선을 자세히 관찰하면 매끈한 곡선이 아니라 B가 계단적으로 증가 또는 감소함을 알 수 있다. 이러한 현상을 무엇이라 하는가?
- ① 퀴리점(Curie point)
- ② 자왜현상(Magneto-striction effect)
- ③ 바크하우젠 효과(Barkhausen effect)
- ④ 자기여자 효과(Magnetic after effect)
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3. 공기 중에 놓여진 반지름 6cm의 구도체에 줄 수 있는 최대 전하는 약 몇 C인가? (단, 이 구도체의 주위공기에 대한 절연내력은 5×106V/m이다.)
- ① 1×10-5
- ② 1×10-6
- ③ 2×10-5
- ④ 2×10-6
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4. 유전율이 각각 Є1, Є2인 두 유전체가 접한 경계면에서 전하가 존재하지 않는다고 할 때 유전율이 Є1인 유전체에서 유전율이 Є2인 유전체로 전계 E1이 입사각 θ1=0°로 입사할 경우 성립되는 식은?
- ① E1=E2
- ② E1=Є1Є2E2
- ③
- ④
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5. 자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등 자화되는 자성체와 관계가 있는 것은?
- ① 투자율에 비례한다.
- ② 자계에 반비례한다.
- ③ 감자율에 반비례한다.
- ④ 자화의 세기에 비례한다.
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6. 정전용량이 C0(F)인 평행판 공기콘덴서에 그림과 같이 단면적이 1/3되는 공간에 비유전율이 4인 유전체를 채웠을 때 정전용량(F)은?
- ① C0
- ② 2C0
- ③ 3C0
- ④ 4C0
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7. 전하 +Q와 전류 +I가 무한히 긴 직선상의 도체에 각각 주어졌고 이들 도체는 진공 속에서 각각 도전율이 무한대인 물질로 된 무한도체 평면과 평행하게 놓여 있다. 이 경우 영상법에 의한 영상 전하와 영상 전류는? (단, 전류는 직류이다.)
- ① +Q, +I
- ② -Q, -I
- ③ +Q, -I
- ④ -Q, +I
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8. 무손실 매질에서 고유임피던스 η=60π, 비투자율 μT, 자계 H=-0.1cos(wt-z)ax+0.5sin(wt-z)ayAT/m일 때 각속도(rad/s)는?
- ① 0.5×108
- ② 1.5×108
- ③ 3×108
- ④ 6×108
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9. 표피효과와 관계있는 식은?
- ① ∇×B=0
- ② ∇×D=ρ
- ③
- ④
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10. 진공 중에서 전계 의 평면전자파가 있다. 이때 자계의 실효치는 약 몇 AT/m 인가?
- ① 2.65 Ee×10-1
- ② 2.65 Ee×10-2
- ③ 2.65 Ee×10-3
- ④ 2.65 Ee×10-4
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11. 공기중에 두 개의 무한장 직선 도체를 그림과 같이 간격 d(m)로 평행하게 놓고, 각 직선 도체에 전류 I1(A), I2(A)를 같은 방향으로 흘릴 경우, 두 직선도체 사이에 작용하는 힘(N/m)은?
- ① , 흡입력
- ② , 반발력
- ③ , 흡입력
- ④ , 반발력
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12. 정전용량 20μF인 공기 평행판 축전기에 0.01C의 전하량을 충전했을 때, 두 평행판 사이에 비유전율 10인 유전체를 채우면 유전체 표면에 발생하는 분극 전하량(C)의 크기는?
- ① 0.009
- ② 0.01
- ③ 0.09
- ④ 0.1
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13. 그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충분히 강한 평등자계에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 kcal의 열이 발생하는가? (단, Br=2Wb/m2, HL=500AT/m, B=μH에서 μ는 일정하지 않음)
- ① 11.7
- ② 47.6
- ③ 70.2
- ④ 200
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14. 자유공간에서 x방향으로 진행하는 평면 전자파에서 암페어 주회적분의 법칙을 나타내는 맥스웰 전자방정식의 y성분은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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15. 공기 중에 한 변이 40cm인 정사각형 평행평판 콘덴서가 있다. 극판의 간격을 4mm로 하고 극판간에 100V의 전위차를 주면 축적되는 전하량은 약 몇 C인가?
- ① 3.54×10-8
- ② 3.54×10-9
- ③ 6.56×10-9
- ④ 6.56×10-8
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16. 전자파의 기본 성질이 아닌 것은?
- ① 횡파이다.
- ② 반사, 굴절 현상이 나타난다.
- ③ 완전도체 표면에서는 전부 흡수한다.
- ④ 전계의 방향과 자계의 방향은 서로 수직이다.
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17. 단면적 4cm2의 철심에 6×10-4 Wb의 자속을 통하게 하려면 2800AT/m의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은 약 얼마인가?
- ① 43
- ② 75
- ③ 324
- ④ 426
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18. 단위 길이당 정전용량 및 인덕턴스가 각각 0.2μF/m, 0.5mH/m인 전송선의 특성 임피던스는 몇 Ω인가?
- ① 50
- ② 75
- ③ 125
- ④ 250
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19. 환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA(H)라면 두 코일간의 상호인덕턴스는 몇 H/m 인가? (단, A코일과 B코일 간의 누설자속은 없는 것으로 한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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20. 다음의 전위함수에서 라플라스 방정식을 만족하지 않는 것은?
- ①
- ② V=rcosθ+ø
- ③ V=ρcosθ+z
- ④ V=x2-y2+z2
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2과목 : 회로이론
21. 다음 설명이 의미하는 것은?
- ① 역회로
- ② 정저항 회로
- ③ L-C회로
- ④ 카워형 회로
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22. 다음과 같은 결합 공진회로에서 C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는?
- ① 밀결합될 때
- ② 소결합될 때
- ③ 임계결합될 때
- ④ 같은 방향으로 결합될 때
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23. 구동점 임피던스에서 영점(zero)은?
- ① 전압이 가장 큰 상태이다.
- ② 회로를 개방한 상태이다.
- ③ 회로를 단락한 상태이다.
- ④ 전류가 흐르지 않는 상태이다.
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24. v(t)=sinω0t를 Fourier 변환한 V(ω)을 구하면?
- ①
- ②
- ③
- ④
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25. R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1 과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2의 관계를 올바르게 나타낸 것은?
- ① θ < θ1 < θ2
- ② θ2 < θ1 < θ
- ③ θ2 < θ < θ1
- ④ θ1 < θ < θ2
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26. 다음 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?
- ① Z1Z2=R
- ② Z1Z2=R2
- ③
- ④
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27. 기함수 및 반파대칭인 비정현파에 포함된 고조파가 어느 파에 속하는가?
- ① 제2고조파
- ② 제4고조파
- ③ 제5고조파
- ④ 제6고조파
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28. 어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01초 사이에 일정하게 60A에서 20A로 변할 때 20V의 기전력이 발생하면 자기 인덕턴스는 몇 mH인가?
- ① 5
- ② 10
- ③ 20
- ④ 200
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29. 그림과 같은 회로에서 스위치를 닫았을 때 과도분을 포함하지 않기 위한 R은 몇 Ω인가?
- ① 100
- ② 200
- ③ 300
- ④ 1000
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30. 회로에서 a, b단자에 흐르는 전류는 몇 A인가?
- ① 0.5
- ② 5
- ③ 0.1
- ④ 1
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31. R-L-C 직렬회로가 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?
- ① 공진 회로
- ② 용량성 회로
- ③ 저항성 회로
- ④ 유도성 회로
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32. ω=200rad/s에서 동작하는 두 개의 회로소자로 구성된 직렬회로에서 전류가 전압보다 45° 앞설 때, 이 소자 중 하나가 5Ω 저항일 경우 나머지 소자와 그 값은?
- ① L, 0.1H
- ② L, 0.01H
- ③ C, 0.001F
- ④ C, 0.0001F
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33. 다음 전달 함수에 관한 설명 중 옳은 것은?
- ① 부동작 시간 요소의 전달 함수는 이다.
- ② 비례 요소의 전달 함수는 이다.
- ③ 미분 요소의 전달 함수는 K이다.
- ④ 2차 지연 요소의 전달 함수는 이다.
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34. 회로망 함수의 극점과 영점이 그림과 같을 때 f(t)는?
- ① f(t)=-α0t cos ωt
- ② f(t)=-α0t sin ωt
- ③ f(t)=tsin ωt
- ④ f(t)=α0t cos ωt
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35. 공급 전압이 100V이고, 회로에 전류가 10A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)
- ① 125√3
- ② 500
- ③ 500√3
- ④ 1000
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36. 무손실 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, G, C는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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37. 다음과 같은 Z파라미터로 표시되는 4단자망의 1-1´ 단자 간에 4A, 2-2´ 단자 간에 1A의 정전류원을 연결하였을 때, 1-1´ 단자 간의 전압(E1)과 2-2´ 단자 간의 전압 (E2)을 각각 옳게 구한 것은? (단, Z파라미터 단위는 Ω이다.)
- ① E1=18V, E2=12V
- ② E1=36V, E2=24V
- ③ E1=42V, E2=-24V
- ④ E1=48V, E2=12V
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38. 다음 결합 회로의 합성 인덕턴스는?
- ① Leg=L1+L2+M
- ② Leg=L1+L2+2M
- ③ Leg=L1+L2-M
- ④ Leg=L1+L2-2M
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39. 다음 회로에서 차단주파수(fc)는 얼마인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
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40. f(t)=2sint+3cost로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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3과목 : 전자회로
41. 그림의 회로에서 Vout은? (단, A=RC/2r′e, v2=0V이다.)
- ① v1
- ② Av1
- ③ v2
- ④ Av2
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42. TTL과 C-MOS의 입출력 조건이 아래의 표와 같다고 할 때, TTL과 C-MOS 소자를 접속하는 방법으로 틀린 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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43. 다음 중 멀티바이브레이터에 대한 설명으로 틀린것은?
- ① 회로의 시정수로 출력파형의 주기가 결정된다.
- ② 쌍안정 멀티바이브레이터의 구성은 직류성분으로 결합되어 있다.
- ③ 출력에 고차의 고조파를 포함한다.
- ④ 모든 멀티바이브레이터의 구성은 교류성분으로 결합되어 있다.
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44. 8진수 (326)8을 10진수로 변환한 것은?
- ① 124
- ② 148
- ③ 168
- ④ 214
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45. 그림과 같은 귀환회로에서 입력임피던스(Rif)의 값을 나타낸 식으로 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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46. 수정발진기에 관한 설명 중 틀린 것은?
- ① 압전 효과를 이용하여 기계적인 진동으로 기전력을 얻는다.
- ② RC 공진회로에 비해 주파수 안정도가 매우 높다.
- ③ 수정편의 절단(cut)하는 방법에 따라 전기적 온도 특성이 다르다.
- ④ 수정편이 같은 두께일 때 X컷(X cut)보다 Y컷(Y cut)의 발진주파수가 높다.
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47. 다음과 같은 부귀환 증폭기의 출력 임피던스는 귀환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?
- ① 출력 임피던스가 감소한다.
- ② 출력 임피던스가 증가한다.
- ③ hie배가 된다.
- ④ 변화가 없다.
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48. 다음 회로에서 콘덴서(C)의 역할은?
- ① 중화용
- ② 기생 진동 방지용
- ③ 상호 변조 방지용
- ④ 저주파 특성 개선용
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49. 다음 중 불 대수의 관한 법칙 중 틀린 것은?
- ① X+YZ=(X+Y)(X+Z)
- ② X(X+1)=X
- ③
- ④
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50. 전송하고자 하는 비트열이 3-bit인 짝수 패리티 발생기는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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51. 다음의 회로에서 A, B가 입력이고 C, D가 출력일 때 이 회로의 명칭은?
- ① NOR로 구성된 D 플립플롭
- ② NOR로 구성된 RS 플립플롭
- ③ NAND로 구성된 D 플립플롭
- ④ NAND로 구성된 RS 플립플롭
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52. 이상적인 연산증폭기의 특징에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 입력 오프셋전압은 0이다.
- ② 오픈 루프 전압이득이 무한대이다.
- ③ 동상 신호 제거비(CMRR)가 0이다.
- ④ 입력 바이어스 전류가 0이다.
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53. 100W용 실리콘 트랜지스터(25℃에서 정격)에서 사용온도가 25℃를 초과할 때 열저항이 0.5W/℃이다. 트랜지스터의 온도가 100℃일 때의 최대허용 소모전력(PD)은?
- ① 75W
- ② 73.5W
- ③ 70W
- ④ 62.5W
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54. N-채널 JFET에서 드레인-소스 전압의 변화에 대해서 전류가 일정한 영역에서 드레인 전류가 증가하는 경우는?
- ① 게이트-소스 바이어스 전압이 감소할 때
- ② 게이트-소스 바이어스 전압이 증가할 때
- ③ 게이트-드레인 바이어스 전압이 감소할 때
- ④ 게이트-드레인 바이어스 전압이 증가할 때
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55. 다음 그림과 같은 연산증폭기 회로의 출력전압(Vo)는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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56. 다음 부귀환 연산증폭기 회로에서 귀환율(β)는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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57. 기본적인 트랜지스터에서 스위치로서의 동작을 옳게 설명한 것은?
- ① 차단과 포화로 동작된다.
- ② 전압이득은 입력전압과 출력전압의 비이다.
- ③ Rc와 r´e는 전압이득을 결정한다.
- ④ 작은 신호를 큰 신호로 만드는 동작이다.
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58. 저역 능동 필터 회로의 감쇠계수(DF, damping factor)에 영향을 주는 것은?
- ① 연산증폭기 이득
- ② 부귀환 효과
- ③ 정귀환 효과
- ④ 필터의 대역폭
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59. 비동기식 8진 업-카운터 회로에서 초기상태가 CBA=000이다. 입력에 클럭 펄스가 14개 인가된 후의 CBA의 상태는 어떻게 되는가? (단, C는 MSB이고, 모든 플립플롭의 J=K=1이다.)
- ① CBA=111
- ② CBA=100
- ③ CBA=101
- ④ CBA=110
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60. 12V 직류전압원에 저항(R)과 2개의 LED가 직렬로 연결된 회로에서 각 LED에 흐르는 전류가 100mA이상 되도록 하는 저항값은? (단, LED의 전압강하는 2.2V로 하시오.)
- ① 76Ω
- ② 86Ω
- ③ 100Ω
- ④ 120Ω
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4과목 : 물리전자공학
61. 에너지 분포함수가 “0”이라는 것은 무엇을 의미하는가?
- ① 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 1이다.
- ② 에너지 상태가 비어 있다.
- ③ 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.5이다.
- ④ 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.3이다.
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62. 양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포함수는?
- ① Sommerfeld 분포 함수
- ② Fermi-Dirac 분포 함수
- ③ Bose-Einstein 분포 함수
- ④ Maxwell-Boltzmann 분포 함수
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63. 초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
- ① 물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.
- ② 저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.
- ③ 저온에서 격자진동이 저하하여 결국 저항이 0으로 된다.
- ④ 전자의 이동도 μ가 전계 강도 E의 평방근에 비례한다.
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64. 트랜지스터의 출력 특성에는 바이어스(bias) 구성에 의한 4가지 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역으로 옳은 것은?
- ① 포화(Saturation) 영역
- ② 활성(Active) 영역
- ③ 차단(Cut-off) 영역
- ④ 역할성(Inverted Active) 영역
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65. 이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 이동도의 단위는 [m2/V·s]이다.
- ② 도전율이 크면 이동도도 크다.
- ③ 온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
- ④ 이동도가 크면 높은 주파수에 적합하다.
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66. MOSFET와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체소자는?
- ① IGBT
- ② SCR
- ③ TRIAC
- ④ GTO
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67. 금속과 반도체의 정류성 접촉을 이용한 반도체는?
- ① Zener Diode
- ② Tunnel Diode
- ③ Impact Diode
- ④ Schottky Barrier Diode
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68. 접합 트랜지스터의 증폭작용은 베이스 영역에서의 어떤 전하들의 확산에 의한 것인가?
- ① 소수 캐리어
- ② 다수 캐리어
- ③ 도너(Donor) 이온
- ④ 억셉터(Acceptor) 이온
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69. 다음 중 일함수에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 일함수는 이탈 준위와 페르미 준위와의 차로 나타난다.
- ② 일함수가 크면 적은 에너지로 많은 전자를 방출시킬 수 있다.
- ③ 일함수는 금속의 종류나 표면의 형태에 따라 다른 값을 갖는다.
- ④ 1개의 전자를 금속체로부터 공간으로 방출하는데 필요한 일의 양을 말한다.
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70. pn 접합 다이오드의 역포화 전류를 감소시키기 위한 방법으로 틀린 것은?
- ① 저항률을 낮게 한다.
- ② 접합 면적을 적게 한다.
- ③ 다수 캐리어의 밀도를 높인다.
- ④ 소수 캐리어의 밀도를 높인다.
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71. 주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?
- ① 2
- ② 8
- ③ 18
- ④ 32
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72. 다음 중 SCR에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 전류제어형 소자이다.
- ② 게이트 전극이 전도에 영향을 준다.
- ③ 터널 다이오드와 똑같은 특성의 부성저항 소자이다.
- ④ 다이라트론(thyratron)과 비슷한 특성을 가지고 있다.
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73. 실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)
- ① 1
- ② 0.5
- ③ 1.1×10-6
- ④ 4.4×10-10
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74. 반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?
- ① 홀 효과가 크다.
- ② 빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
- ③ 불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
- ④ 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
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75. 전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?
- ① 9.109×10-31
- ② 1.759×10-11
- ③ 1.602×1019
- ④ 6.547×1034
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76. 베이스 증폭 접합형 트랜지스터의 전류 증폭율(α)은 0.95이고, 차단 주파수(fα)는 5MHz이다. 이미터 접지로 사용할 때 차단 주파수(fβ)는?
- ① 263kHz
- ② 475kHz
- ③ 2.63MHz
- ④ 4.75MHz
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77. N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?
- ① 인(P)
- ② 비소(As)
- ③ 안티몬(Sb)
- ④ 알루미늄(Al)
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78. 반도체 재료의 제조시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것은?
- ① 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
- ② 다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
- ③ 진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
- ④ 캐리어의 이동도를 결정하기 때문
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79. 전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
- ① 충만대(filled band)
- ② 금지대(forbidden band)
- ③ 가전자대(valence band)
- ④ 전도대(conduction band)
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80. 어떤 금속의 표면전위장벽(EB)가 13.47eV이고, 페르미 에너지(Ef)가 8.95eV일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?
- ① 4.52eV
- ② 9.04eV
- ③ 11.21eV
- ④ 22.42eV
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5과목 : 전자계산기일반
81. 다음 중에서 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명이 가장 옳은 것은?
- ① 명령어를 해석한다.
- ② UNIX 커널의 일부이다.
- ③ 문서처리 기능을 갖는다.
- ④ 디렉토리 관리 기능을 갖는다.
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82. Associative 메모리와 가장 관련이 없는 것은?
- ① CAM(Content Addressable Memory)
- ② 고속의 Access
- ③ Key 레지스터
- ④ MAR(Memory Address Register)
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83. 채널에 의한 입출력 방식에서 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?
- ① counter channel
- ② selector channel
- ③ multiplexer channel
- ④ block multiplexer channel
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84. 객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 적합하도록 설계된 언어는?
- ① 포트란(FORTRAN)
- ② C
- ③ 자바(java)
- ④ SQL
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85. 10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
- ① FE.D
- ② FF.E
- ③ 9F.8
- ④ FF.5
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86. 2진수 (1110.0111)2을 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
- ① (7.7)16
- ② (14.14)16
- ③ (E.7)16
- ④ (E.E)16
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87. 중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀린 것은?
- ① 기억기능 : 레지스터(register)
- ② 연산기능 : 연산기(ALU)
- ③ 전달기능 : 누산기(accumulator)
- ④ 제어기능 : 조합회로와 기억소자
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88. 프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?
- ① 레지스터 모드
- ② 간접번지 모드
- ③ 상대번지 모드
- ④ 인덱스 어드레싱 모드
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89. 컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
- ① 스택 메모리의 번지 레지스터로서 스택 포인터가 있으며 LIFO로 동작한다.
- ② 메모리에 항목을 저장하는 것을 PUSH라 하고 빼내는 동작을 POP이라고 한다.
- ③ PUSH, POP 동작 시 SP를 증가시키거나 감소시키는 문제는 스택의 구성에 따라 달라질 수 있다.
- ④ PUSH, POP 명령에서 스택과 오퍼랜드 사이의 정보 전달을 위해서는 번지 필드가 필요 없다.
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90. CPU를 구성하는 구성 요소로서 ALU에서 처리하는 자료를 항상 기억하며 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레지스터는?
- ① ACC
- ② SR
- ③ IR
- ④ SP
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91. 파이프라이닝(Pipelining)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
- ① 프로세서가 이전 명령어를 마치기 전에 다음 명령어 수행을 시작하는 기법이다.
- ② CPU가 필요한 데이터를 찾을 때 읽기와 쓰기 동작을 향상시키는 기법이다.
- ③ 명령어 사이클들이 동 시간대에 중첩되어 처리되는 개념을 나타낸다.
- ④ 단계별 시간차를 거의 동일하게 하면 속도향상을 꾀할 수 있다.
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92. 콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
- ① dynamic micro-programming
- ② static micro-programming
- ③ horizontal micro-programming
- ④ vertical micro-programming
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93. 기억번지와 1대 1로 부여되는 번지를 무슨 번지라고 하는가?
- ① 상대번지
- ② 절대번지
- ③ 직접번지
- ④ 간접번지
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94. 다음 중에서 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타낼 때 사용하는 단위는?
- ① LPM(Line Per Minute)
- ② CPM(Character Per Minute)
- ③ CPS(Character Per Second)
- ④ BPS(Bit Per Second)
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95. 다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?
- ① i= 4, b= 6
- ② i= 5, b= 10
- ③ i= 6, b= 15
- ④ i= 10, b= 55
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96. 스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
- ① 0-주소 형식
- ② 1-주소 형식
- ③ 2-주소 형식
- ④ 3-주소 형식
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97. 다음 논리 연산자 중 데이터의 필요없는 부분을 지우고자 할 때 쓰는 연산자는?
- ① AND
- ② OR
- ③ EX-OR
- ④ NOT
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98. 다음 중 데이터통신에 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서용으로 많이 사용되는 코드는?
- ① EBCDIC 코드
- ② Excess-3 코드
- ③ ASCII 코드
- ④ Gray 코드
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99. 주소 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
- ① direct addressing mode
- ② indirect addressing mode
- ③ absolute addressing mode
- ④ relative addressing mode
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100. C 언어의 지정어(reserved word)가 아닌 것은?
- ① auto
- ② default
- ③ enum
- ④ sum
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