전자기사(2017. 5. 7.) 시험일자 : 2017년 5월 7일
1과목 : 전기자기학
1. 그림과 같은 히스테리시스 루프를 가진 철심이 강한 평등자계에 의해 매초 60Hz로 자화할 경우 히스테리스 손실은 몇 W 인가? (단, 철심의 체적은 20cm3, Br=5Wb/m2, Hc=2AT/m이다.)
- ① 1.2×10-2
- ② 2.4×10-2
- ③ 3.6×10-2
- ④ 4.8×10-2
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2. 유전율 ε=8.855×10<sup>-12</sup>-(F/m)인 진공 중을 전자파가 전파할 때 진공 중의 투자율(H/m)은?
- ① 7.58×10-5
- ② 7.58×10-7
- ③ 12.56×10-5
- ④ 12.56×10-7
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3. 그림과 같은 길이가 1m인 동축 원통 사이의 정전용량(F/m)은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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4. 철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속(Wb)은?
- ① 4×10-3
- ② 4×10-4
- ③ 8×10-3
- ④ 8×10-4
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5. 원통좌표계에서 전류밀도j=Kr2az(A/m2)일 때 암페어의 법칙을 사용한 자계의 세기 H(AT/m)는? (단, K는 상수이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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6. 정전용량이 Co(F)인 평행판 공기콘덴서가 있다. 이것의 극판에 평행으로 판간격 d(m)의 1/2 두께인 유리판을 삽입하였을 때의 정전용량(F)은? (단, 유리판의 유전율은 ε(F/m)이라 한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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7. 점전하에 의한 전계의 세기(V/m)를 나타내는 식은? (단, r은 거리, Q는 전하량, λ는 선전하 밀도, σ는 표면전하밀도이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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8. 어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 이라고 할 때 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도 ρ는 약 몇 pC/m3 인가?
- ① -20
- ② -40
- ③ -160
- ④ -320
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9. 유전율 ε, 투자율 μ인 매질에서의 전파속도 v는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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10. 벡터 포텐샬 A=3x2yaz+2xay-z3az(Wb/m)일 때의 자계의 세기 H(A/m)는? (단, μ는 투자율이라 한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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11. 전계 E(V/m), 전속밀도 DC/m2), 유전율 Є=Є0Єs(F/m), 분극의 세기 P(C/m2) 사이의 관계는?
- ① P=D+Є0E
- ② P=D-Є0E
- ③
- ④
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12. 내부도체 반지름이 10mm, 외부도체의 내반지름이 20mm인 동축케이블에서 내부도체 표면에 전류 I가 흐르고, 얇은 외부도체에 반대방향인 전류가 흐를 때 단위 길이당 외부 인덕턴스는 약 몇 H/m 인가?
- ① 0.28×10-7
- ② 1.39×10-7
- ③ 2.03×10-7
- ④ 2.78×10-7
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13. 그림과 같이 무한평면 도체 앞 a(m) 거리에 점전하 Q(C)가 있다. 점 0에서 x(m)인 P점의 전하밀도 σ(C/m2)는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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14. 그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서의 토크는 약 몇 N・m 인가?
- ① 2.66 × 10-4ax
- ② 5.66 × 10-4ax
- ③ 2.66 × 10-4az
- ④ 5.66 × 10-4az
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15. 무한 평면에 일정한 전류가 표면에 한 방향으로 흐르고 있다. 평면으로부터 r만큼 떨어진 점과 2r만큼 떨어진 점과의 자계의 비는 얼마인가?
- ① 1
- ② √2
- ③ 2
- ④ 4
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16. 막대자석 위쪽에 동축도체 원판을 놓고 회로의 한 끝은 원판의 주변에 접촉시켜 회전하도록 해놓은 그림과 같은 패러데이 원판 실험을 할 때 검류계에 전류가 흐르지 않는 경우는?
- ① 자석만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
- ② 원판만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
- ③ 자석을 축 방향으로 전진시킨 후 후퇴시킬 때
- ④ 원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때
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17. 최대 정전용량 C0(F)인 그림과 같은 콘덴서의 정전용량이 각도에 비례하여 변화한다고 한다. 이 콘덴서를 전압 V(V)로 충전했을 때 회전자에 작용하는 토크는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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18. 자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?
- ① 자기회로의 길이에 비례
- ② 자기회로의 단면적에 비례
- ③ 자성체의 비투자율에 비례
- ④ 자성체의 비투자율의 제곱에 비례
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19. 그림과 같은 정방형관 단면의 격자점 ⑥의 전위를 반복법으로 구하면 약 몇 V 인가?
- ① 6.3
- ② 9.4
- ③ 18.8
- ④ 53.2
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20. 서로 결합하고 있는 두 코일의 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 Lc1, Lc2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성인덕턴스 값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향의 합성인덕턴스의 값이 L1, 서로 상쇄되는 방향의 합성인덕턴스 값이 L2일 때, 다음 중 알맞은 식은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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2과목 : 회로이론
21. △결선된 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)
- ① 9배로 증가한다.
- ② 0.1배로 줄어든다.
- ③ 3배로 증가한다.
- ④ 0.3배로 줄어든다.
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22. 그림과 같은 회로에서 영상 임피던스 Z01, Z02의 값은 약 몇 Ω 인가?
- ① Z01 = 8, Z02 = 4.96
- ② Z01 = 8, Z02 = 9.92
- ③ Z01 = 16, Z02 = 4.96
- ④ Z01 = 16, Z02 = 9.92
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23. 다음 그림과 같은 파형의 라플라스(Laplace) 변환은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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24. 신호 f(t)에 여현파 신호 cosω0t를 곱한 값인 f(t)cosω0t을 Fourier 변환하면?
- ①
- ②
- ③
- ④
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25. 자계 코일에 권수(N)는 1000회, 저항(R)은 6Ω에서 전류(I)가 10A로 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2 Wb이다. 이 회로의 시정수는 몇 초(sec) 인가?
- ① 1
- ② 2
- ③ 10
- ④ 12
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26. 그림과 같은 회로의 4단자 정수는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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27. R=80Ω, XL=60Ω인 R-L 병렬회로에 v=220∠45°V의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
- ① 3.67∠45°
- ② 5.75∠90°
- ③ 3.67∠-45°
- ④ 5.75∠-90°
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28. 다음 운동 방정식으로 표시되는 계의 계수 행렬 A는 어떻게 표시되는가?
- ①
- ②
- ③
- ④
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29. 이상 변압기의 1차측 권선수:2차측 권선수가 1:2 일 때 부하 저항은 50Ω이다. 입력에서 본 등가 임피던스는 몇 Ω 인가?
- ① 50
- ② 25
- ③ 12.5
- ④ 6.25
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30. 그림과 같은 이상 변압기에서 Ri=300Ω, RL=75Ω일 때, 권선비 n1:n2는 얼마인가?
- ① 1:2
- ② 1:4
- ③ 2:1
- ④ 4:1
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31. R-L-C 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는 어떤 회로로 동작하는가?
- ① 유도성 회로
- ② 용량성 회로
- ③ 저항성 회로
- ④ 탱크 회로
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32. 직류 전압원에 저항을 접속하고 전류를 흐를 때 이 전류 값을 30% 증가시키기 위해서는 저항값은 어떻게 하여야 하는가?
- ① 2배로 증가시킨다.
- ② 1.2배로 증가시킨다.
- ③ 저항값을 그대로 유지시킨다.
- ④ 0.77배로 감소시킨다.
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33. 그림과 같은 회로에서 정상 전류(i)는 얼마인가? (단, Vdc = 20, R = 20Ω, L = 0.2H 이다.)
- ① i=2A
- ② i=4A
- ③ i=1A
- ④ i=6A
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34. RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr공진 각 주파수이다.)
- ① ωrC/R
- ② ωrL/R
- ③ ωr/R
- ④ ωrR/L
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35. 다음 함수에 관한 설명 중 틀린 것은? (단, T는 주기이다.)
- ① f(t)=f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
- ② f(t)=-f(-t)의 관계가 모든 에 대해서 성립하면 f(t)는 기함수이다.
- ③ f(t)=-f(t+T/2)의 관계가 모든 에 대해서 성립하면 f(t)는 반파대칭인 주기파이다.
- ④ f(t)=f(t±T/2)의 관계가 모든 에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
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36. 저항(R) 8Ω과 정전용량(C) 500μF을 직렬로 연결하고 교류전압 v=200√sin120πt[V]을 인가하였다. 이때 이 회로의 전압과 전류의 위상차는 약 몇 도(°) 인가?
- ① 27°
- ② 34°
- ③ 56°
- ④ 60°
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37. 그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C값은 몇 μF 인가? (단, R=1Ω, L=200mH 이다.)
- ① 0.1
- ② 0.2
- ③ 1
- ④ 2
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38. 다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
- ① A = 7
- ② B = 48
- ③ C = 6
- ④ D = 7
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39. 원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역궤적은 어떻게 되는가?
- ① 원점을 지나는 직선이 된다.
- ② 원점을 지나는 원이 된다.
- ③ 원점을 지나지 않는 직선이 된다.
- ④ 원점을 지나지 않는 원이 된다.
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40. 그림에서 a-b간에 25V의 전압을 가할 때 5A의 전류가 흐른다. r1 및 r2에 흐르는 전류비를 1:3으로 하려면 r1 및 r2의 저항은 몇 Ω 인가?
- ① r1=12, r2=4
- ② r1=24, r2=8
- ③ r1=6, r2=2
- ④ r1=2, r2=6
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3과목 : 전자회로
41. 무귀환 시 전압이득이 30 이고, 고역 차단 주파수가 20kHz인 증폭기에 귀환을 걸어 전압이득이 20으로 되었다면 이때의 차단주파수는 몇 kHz 인가?
- ① 10
- ② 20
- ③ 30
- ④ 40
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42. 이상적인 연산 증폭기에 대한 설명 중 틀린것은?
- ① 출력의 일부를 반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 감소시키는 것을 부귀환이라 한다.
- ② 출력의 일부를 비반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 증가시키는 것을 정귀환이라 한다.
- ③ 개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 직접화로 이루어진 증폭기이다.
- ④ 매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계가 되었다.
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43. 그림과 같은 NOR 게이트로 구성된 기본적인 플립플롭회로에서 S=0, R=1인 상태일 때 Q, 의 상태는? (단, 클록펄스(CP)가 1일 경우로 가정한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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44. 고주파 증폭회로의 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 트랜지스터의 베이스 폭이 얇을수록 고주파 증폭에 적합하다.
- ② 컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스는 감소한다.
- ③ 컬렉터 용량의 영향으로 출력이 귀환된다.
- ④ 컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다.
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45. 입력 주파수 192Hz를 T형 플립플롭 3개에 종속 접속하면 출력 주파수는 몇 Hz 인가?
- ① 586
- ② 64
- ③ 48
- ④ 24
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46. 전력 증폭기 회로의 직류공급 전압이 12 V, 전류가 400 mA이고, 능률이 60%일 때 부하에서 출력전력은 몇 W 인가?
- ① 0.8
- ② 1.44
- ③ 2.88
- ④ 4.9
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47. 그림의 비안정 멀티바이브레이터에서 R1 = R2 = R, C1 = C2 = C라고 하면 발진주파수는 대략 어떻게 표시되는가?
- ① 0.7/RC
- ② 0.5/RC
- ③ 0.7/RLC
- ④ 0.5/RLC
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48. mod-8 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
- ① 2개
- ② 4개
- ③ 8개
- ④ 16개
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49. 부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로를 무엇이라 하는가?
- ① 인코더
- ② 디코더
- ③ 플립플롭
- ④ 멀티플렉서
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50. JFET에서 IDSS = 12mA, VP = -4V 이고, VGS = -2V일 때 드레인 전류 ID는 몇 mA 인가?
- ① 1.5
- ② 2.7
- ③ 3
- ④ 5
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51. 트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2 μA에서 239.2 μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
- ① 1.2
- ② 2.2
- ③ 4.2
- ④ 6.3
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52. FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
- ① 변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
- ② 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
- ③ 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
- ④ 신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.
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53. 귀환이 없는 경우의 전압이득이 40dB 인 증폭기에 귀환율(β)이 0.09의 부귀환을 걸면 증폭기의 전압이득은 몇 dB 인가?
- ① 10
- ② 20
- ③ 30
- ④ 40
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54. 다음 진리표를 만족하는 논리회로는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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55. 발진 회로의 발진의 조건으로 옳은 것은?
- ① 귀환 루프의 위상 천이가 0° 이다.
- ② 귀환 루프의 위상 천이가 180° 이다.
- ③ 귀환 루프의 이득이 0 이다.
- ④ 귀환 루프의 이득이 1/2이다.
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56. 전압이득이 60dB, 왜율이 10%인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1%로 개선하기 위해서는 귀환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?
- ① 0.9
- ② 0.1
- ③ 0.099
- ④ 0.011
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57. 변압기가 결합한 A급 증폭기에서 1차:2차(12:1) 변압기가 16Ω 부하저항에 연결되어 있을 때 1차 측에서 보는 실효저항(R1)은 약 몇 kΩ 인가?
- ① 1.8
- ② 2.1
- ③ 2.3
- ④ 2.5
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58. 연산 증폭기의 종류에 대한 설명 중 틀린 것은?
- ① 반전 증폭기는 비반전 입력단은 접지로 하고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
- ② 단위 이득 증폭기는 비반전 입력단은 출력과 단락시키고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
- ③ 비반전 증폭기는 반전 입력단은 저항을 이용하여 접지로 하고 비반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
- ④ 적분기는 반전 증폭회로에서 귀환 소자인 저항 대신에 커패시터를 사용한 것이다.
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59. 다음 그림은 π모델을 이용해서 공통 이미터 트랜지스터의 단락 전류이득을 구하기 위한 등가 회로이다. 단락 전류이득을 주파수 함수로 표시한 것으로 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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60. 다음 555 회로에서 출력주파수는 몇 kHz 인가?
- ① 5.64
- ② 6.64
- ③ 4.64
- ④ 7.64
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4과목 : 물리전자공학
61. 전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
- ② 금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
- ③ 금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
- ④ 금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 chottky 효과라 한다.
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62. 공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재하지 않는 이유는?
- ① 반도체내의 전하밀도가 매우 크기 때문
- ② 공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문
- ③ 금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문
- ④ 공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문
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63. 실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
- ② 일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
- ③ SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
- ④ 무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
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64. 바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
- ① 걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.
- ② 걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
- ③ 걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.
- ④ 걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전류를 흡수한다.
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65. 전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하량은 1.602×10-19[C] 이다.)
- ① 1.75×1017[m/s2]
- ② 1.95×1016[m/s2]
- ③ 2.05×1016[m/s2]
- ④ 2.35×1014[m/s2]
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66. pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?
- ① 접합부에는 전압이 생긴다.
- ② 접합 저항은 외부전압에 따라 변한다.
- ③ 접합 저항은 전류에 반비례한다.
- ④ 접합 전압은 온도와 무관하다.
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67. 트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
- ① Early
- ② Tunnel
- ③ Drift
- ④ Punch-Through
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68. 300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?
- ① 0.02
- ② 0.08
- ③ 0.2
- ④ 0.8
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69. 물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
- ① 열을 가한다.
- ② 빛을 가한다.
- ③ 전계를 가한다.
- ④ 압축을 한다.
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70. 진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
- ① 도너 준위에 접근한다.
- ② 금지대 중앙에 위치한다.
- ③ 전도대 쪽으로 접근한다.
- ④ 가전자대 쪽으로 접근한다.
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71. 반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?
- ① 결정구조의 결함은 이동도를 감소시킨다.
- ② 직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
- ③ 캐리어의 확산 길이는 이동도와 수명시간에 따라 변한다.
- ④ p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 상온에서 정(+)으로 이온화된다.
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72. 실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?
- ① 0 V
- ② 0.7 V
- ③ 7 V
- ④ 70 V
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73. 3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m]이다.)
- ① 0.12eV
- ② 0.012eV
- ③ 0.24eV
- ④ 0.024eV
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74. 금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?
- ① 표면 전위장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하는 에너지이다.
- ② 금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식이다.
- ③ 전자의 구속 에너지와 같다.
- ④ 최소한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.
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75. Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
- ① 최고허용온도가 높다.
- ② 차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
- ③ 역방향전류와 잡음지수가 크다.
- ④ 고주파 고출력 특성이 좋다.
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76. Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
- ① Fermi-Dirac
- ② Bose-Einstein
- ③ Gauss-error function
- ④ Maxwell-Boltzmann
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77. 선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
- ① 포화영역 부근에 설정한다.
- ② 차단영역 부근에 설정한다.
- ③ 포화영역 이상에 설정한다.
- ④ 차단영역과 포화영역 중간 지점에 설정한다.
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78. SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는가?
- ① Holding Current
- ② Latching Current
- ③ Trigger Current
- ④ Induction Current
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79. 2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J・s]이다.)
- ① 1.46×10-34
- ② 2.23×10-8
- ③ 5.53×10-5
- ④ 1.95×10-12
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80. 다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
- ① 인듐(In)
- ② 안티몬(Sb)
- ③ 붕소(B)
- ④ 알루미늄(Al)
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5과목 : 전자계산기일반
81. 부동 소수점(Floating point number) 표현 방식으로 틀린 것은?
- ① 부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
- ② 지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
- ③ 부호, 지수부, 소수부의 3개의 필드로 구성되어 있다.
- ④ 32비트에서 부동 소수점 수를 표현할 때 부호는 2비트를 사용한다.
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82. 논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
- ① OR
- ② AND
- ③ EX-OR
- ④ NOT
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83. 다음 논리 함수를 간소화 한 결과는?
- ① X
- ② XY
- ③ X+Y
- ④ Y
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84. 데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?
- ① 단순 연결 리스트(singly linked list)
- ② 이중 연결 리스트(doubly linked list)
- ③ 다중 연결 리스트(multi linked list)
- ④ 환형 연결 리스트(circular linked list)
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85. 0-주소 명령어 형식이 사용될 수 있는 CPU 구조로 가장 옳은 것은?
- ① 단일 누산기 구조
- ② 이중 누산기 구조
- ③ 범용 레지스터 구조
- ④ 스택 구조
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86. 다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
- ① Z=AB+C
- ②
- ③
- ④ Z=A+BC
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87. 컴퓨터의 워드(word) 길이에 대한 설명으로 틀린것은?
- ① 일반적으로 더욱 많은 명령어를 제공할 수 있다.
- ② 일반적으로 워드 길이가 길면 컴퓨터 성능이 좋아진다.
- ③ 일반적으로 워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다.
- ④ 주소를 지정할 수 있는 수의 범위가 크므로 큰 기억용량이 필요하다.
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88. 전자계산기의 주요 장치에 대한 설명으로 틀린것은?
- ① 연산 장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
- ② 보조기억 장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
- ③ 제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
- ④ 입출력 장치 : 필요한 정보의 입출력을 담당하는 장치이다.
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89. 프로그램 카운터가 없는 컴퓨터에서 op code는 3비트이고 메모리는 4096워드(word)일 때 하나의 명령이 한 워드에 저장된다면 워드 당 몇 비트인가? (단, 이 컴퓨터의 명령어는 op code, operand, 어드레스로 구성되어 있다.)
- ① 12비트
- ② 15비트
- ③ 27비트
- ④ 30비트
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90. 부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?
- ① 인코더
- ② 디코더
- ③ 디멀티플렉서
- ④ 멀티플렉서
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91. 컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
- ① CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하여 프로그램을 개발하는 것이다.
- ② 폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
- ③ CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구조로 구분한다.
- ④ 컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하였다.
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92. 간접 주소(Indirect Addressing) 방식을 설명한 것은?
- ① 명령어내의 번지는 실제 데이터가 위치하고 있는 주소를 나타낸다.
- ② 프로그램 카운터가 명령어의 주소부분과 더해져서 유효주소가 결정된다.
- ③ 명령어의 실제 주소를 나타내는 유효주소는 명령어의 주소 필드가 가르키는 주소에 존재한다.
- ④ 인덱스값을 갖는 특별한 레지스터의 내용이 명령어의 주소 부분과 더해져서 유효주소가 얻어진다.
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93. C 언어에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ① 함수 호출이 아닌 함수 본체의 시작과 끝은 각각 '('과 ')'로 표기한다.
- ② 대화형 언어로서 프로그램을 코딩용지 등에 작성해서 입력해야 한다.
- ③ 한 줄에 여러 개의 명령문을 기술할 경우 명령문 사이에 세미콜론(;)을 사용해야 한다.
- ④ 프로그램은 반드시 END문으로 끝난다.
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94. 서브루틴과 연관되어 사용되는 명령으로 가장 옳은 것은?
- ① Shift와 Rotate
- ② Call과 Return
- ③ Skip과 Jump
- ④ Increment와 Decrement
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95. 다음 C 프로그램을 수행하였을 때 결과 값은?
- ① 12
- ② 10
- ③ 1
- ④ 0
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96. 피연산자의 기억 장소에 따른 명령어 형식의 분류에 속하지 않는 것은?
- ① 스택 명령어 형식
- ② 레지스터-레지스터 명령어 형식
- ③ 레지스터-메모리 명령어 형식
- ④ 스택-메모리 명령어 형식
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97. DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ① 자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다.
- ② 빠른 속도로 자료들을 입출력할 때 사용하는 방식이다.
- ③ DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
- ④ DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 cycle stealing을 행한다.
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98. 언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
- ① assembler
- ② interpreter
- ③ compiler
- ④ linkage editor
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99. C 언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은?
- ① -3
- ② -4
- ③ 3
- ④ 4
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100. 직렬 덧셈 회로에 꼭 필요한 것은?
- ① Shift Register
- ② Buffer Memory
- ③ Operand
- ④ Cache Memory
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