전자기사(2012. 5. 20.) 시험일자 : 2012년 5월 20일
1과목 : 전기자기학
1. 액체 유전체를 포함한 콘덴서 용량이 C[f]인 것에 V [V]의 전압을 가했을 경우에 흐르는 누설전는 몇 [A]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
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2. 전기쌍극자에 의한 등전위면을 극좌표로 나타내면?
- ① r2=ksinθ
- ② r2√ksinθ
- ③ r2=kcosθ
- ④ r2=√kcosθ
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3. 그림과 같이 평행판 콘덴서에 교류전원을 접속할 때 전류의 연속성에 대해서 성립하는 식은? (단, E : 전계, D : 전속밀도, ρ : 체적전하밀도, i : 전도전류밀도, B : 자속밀도, t : 시간이다.)
- ① ▽∙D=ρ
- ②
- ③
- ④ ▽∙B =0
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4. 면전하 밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m]만큼 떨어져 있는 점의 자계의 세기[V/m]는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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5. 그림과 같이 한 변의 길이가 ℓ[m]인 정6각형 회로에 전류 I[A]가 흐르고 있을 때 중심 자계의 세기는 몇 [A/m]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
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6. 그림과 같이 면적 S[m2]인 평행판 콘덴서의 극판 간에 판과 평행으로 두께 d1[m], d2[m], 유전율 ε1[F/m], ε2[F/m]의 유전체를 삽입하면 정전용량[F]은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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7. 무한이 넓은 두 장의 도체판을 d[m]의 간격으로 평행하게 놓은 후, 두 판 사이에 V[V]의 전압을 가한 경우 도체판의 단위 면적당 작용하는 힘은 몇 [N/m2 ]인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
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8. 일반적으로 자구를 가지는 자성체는?
- ① 상자성체
- ② 강자성체
- ③ 역자성체
- ④ 비자성체
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9. 그림에서 ℓ=100[cm], S=10[m2], μs=100, N=1000회인 회로에 전류 I=10[A]를 흘렸을 때 저축되는 에너지는 몇 [J]인가?
- ① 2π×10-1
- ② 2π×10-2
- ③ 2π×10-3
- ④ 2π
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10. 패러데이의 법칙에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?
- ① 전자유도에 의하여 회로에 발생되는 기전력은 자속 쇄교수의 시간에 대한 증가율에 반비례한다.
- ② 전자유도에 의하여 회로에 발생되는 기전력은 자속의 변화를 방해하는 방향으로 기전력이 유도된다.
- ③ 정전유도에 의하여 회로에 발생하는 기자력은 자속의 변화방향으로 유도된다.
- ④ 전자유도에 의하여 회로에 발생하는 기전력은 자속 쇄교수의 시간 변화율에 비례한다.
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11. 정전에너지, 전속밀도 및 유전상수 εr의 관계에 대한 설명 옳지 않은 것은?
- ① 동일 전속밀도에서는 εr이 클수록 정전에너지는 작아진다.
- ② 동일 정전에너지에서는 εr이 클수록 전속밀도가 커진다.
- ③ 전속은 매질에 축적되는 에너지가 최대가 되도록 분포된다.
- ④ 굴절각이 큰 유전체는 εr이 크다.
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12. 평균길이 1[m], 권수 1000회의 솔레노이드 코일에 비투자율 1000의 철심을 넣고 자속밀도 1[Wb/m2]을 얻기 위해 코일에 흘려야 할 전류는 몇 [A]인가?
- ① 10/4π
- ② 100/8π
- ③ 1π/100
- ④ 4π/10
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13. 환상철심에 권수 3000회의 A코일과 권수 200회인 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기 인덕턴스가 360[mH]일 때 A, B en 코일의 상호 인덕턴스[mH]는? (단, 결합계수는 1이다.)
- ① 16[mH]
- ② 24[mH]
- ③ 36[mH]
- ④ 72[mH]
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14. 대전된 도체의 특징이 아닌 것은?
- ① 도체에 인가된 전하는 도체 표면에만 분포한다.
- ② 가우스 법칙에 의해 내부에는 전하가 존재한다.
- ③ 전계는 도체 표면에 수직인 방향으로 진행된다.
- ④ 도체표면에서의 전하밀도는 곡률이 클수록 높다.
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15. 맥스웰의 전자방정식에 대한 의미를 설명한 것으로 잘못된 것은?
- ① 자계의 회전은 전류밀도와 같다.
- ② 전계의 회전은 자속밀도의 시간적 감소율과 같다.
- ③ 단위체적당 발산 전속수는 단위체적당 공간전하 밀도와 같다.
- ④ 자계는 발산하며, 자극은 단독으로 존재한다.
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16. 유전체에서 변위 전류를 발생하는 것은?
- ① 분극전하밀도의 공간적 변화
- ② 분극전하밀도의 시간적 변화
- ③ 전속밀도의 공간적 변화
- ④ 전속밀도의 시간적 변화
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17. 두 개의 길고 직선인 도체가 평행으로 그림과 같이 위치하고 있다. 각 도체에느 10[A]의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있으며, 이격거리는 0.2[m]일 때 오른쪽 도체의 단위길이당 힘은? (단, aX, aZ는 단위 벡터이다.)
- ① 10-2(-aX)[N/m]
- ② 10-4(-aX)[N/m]
- ③ 10-2(-aZ)[N/m]
- ④ 10-4(-aZ)[N/m]
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18. 그림과 같이 비투자율이 μs1, μs2인 각각 다른 자성체를 접하여 놓고 θ1을 입사각이라 하고, θ2를 굴절각이라 한다. 경계면에 자하가 없는 경우 미소 폐곡면을 취하여 이 곳에 출입하는 자속수를 구하면?
- ①
- ②
- ③
- ④
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19. 전자파의 전파속도[m/s]에 대한 설명 중 옳은 것은?
- ① 유전율에 비례한다.
- ② 유전율에 반비례한다.
- ③ 유전율과 투자율의 곱의 제곱근에 비례한다.
- ④ 유전율과 투자율의 곱의 제곱근에 반비례한다.
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20. 강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?
- ① J는 B와 같다.
- ② J는 B보다 약간 작다.
- ③ J는 B보다 약간 크다.
- ④ J는 B보다 대단히 크다.
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2과목 : 회로이론
21. 시정수 T인 TL 직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을 때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 [%]인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
- ① 63[%]
- ② 86[%]
- ③ 95[%]
- ④ 98[%]
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22. 다음 설명 중 옳은 것은?
- ① 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
- ② 루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
- ③ 루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
- ④ 루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
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23. 직렬회로에서 L=21[,H], R=3[Ω]일 때 시정수는 몇 [sec]인가?
- ① 700
- ② 7000
- ③ 7×10-2
- ④ 7×10-3
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24. 다음과 같은 회로에 100[V]의 전압을 인가하였다. 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC 값은? (단, R=10[Ω], ωL=10[Ω]이다.)
- ① 12[Ω]
- ② 12.5[Ω]
- ③ 20[Ω]
- ④ 25[Ω]
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25. 그림에서 상자는 저항만으로 구성된 회로망이다. v1=20t이고 v2=0일 때 i1=5t 및 i2=2t이다. v1=20t+40이고 v2=40t+10일 때 i1을 구하면?
- ① i1=-2t[A]
- ② i1=t+9[A]
- ③ i1=-4-1[A]
- ④ i1=-5t+10[A]
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26. 다음 정현파의 순시치 식을 phasor로 나타낸 것으로 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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27. 대칭 4단자망에서 영상 임피던스는?
- ① √BC
- ②
- ③
- ④ √AD
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28. R-L 직렬회로의 임피던스가 11.18[Ω]이고, L=10[mH]이다. 정현파 전압을 인가해서 전압이 전류보다 63.4°만큼 위상이 빠르게 될 때의 R[Ω]과 ω[rad/sec]는 약 얼마인가? (단, tan 63.4°≒2)
- ① R=5, ω=1000
- ② R=50, ω=1000
- ③ R=50, ω=100
- ④ R=5, ω=100
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29. 단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?
- ① 유효전력
- ② 무효전력
- ③ 평균전력
- ④ 피상전력
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30. 이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?
- ① 코일에 관계되는 손실이 0이다.
- ② 두 코일간의 결합계수가 1이다.
- ③ 동손, 철손이 약간 있어야 한다.
- ④ 각 코일의 인덕턴스가 ∞이다.
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31. 의 라플라스 역 변환은?
- ① -1+et
- ② -1-e-t
- ③ 1-et
- ④ 1-e-t
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32. R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]을 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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33. Y 결선한 이상적인 3상 평형전원에 관한 것으로 옳은 것은?
- ① 선간 전압의 크기 = 상전압의 크기
- ② 선간 전압의 크기 = 상전압의 크기×√3
- ③ 선간 전압의 크기 = 상전류의 크기×√3
- ④ 상전압의 크기 = 선간 전압의 크기×√3
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34. R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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35. 다음 그림에 표시한 여파기는?
- ① 고역 여파기
- ② 대역 여파기
- ③ 대역 소거 여파기
- ④ 저역 여파기
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36. 전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?
- ① 과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
- ② 시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
- ③ 시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
- ④ 시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속된다.
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37. 다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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38. 자계 코일에 권수 N=2000회, 저항 R=6[Ω]에서 전류 I=10[A]가 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2[Wb]이다. 이 회로의 시정수는 몇 [sec]인가?
- ① 1
- ② 2
- ③ 10
- ④ 12
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39. 다음 회로의 합성 커패시턴스는?
- ① 4[μF]
- ② 0.8[μF]
- ③ 0.5[μF]
- ④ 5[μF]
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40. 다음 신호 에 대한 라플라스 변환은?
- ①
- ②
- ③
- ④
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3과목 : 전자회로
41. 다음 정전압회로에서 입력전압이 15[V], 제너전압이 10[V], 제너 다이오드에 흐르는 전류가 25[mA], 부하저항이 100[Ω]일 때 저항 R1의 값은?
- ① 20[Ω]
- ② 40[Ω]
- ③ 125[Ω]
- ④ 200[Ω]
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42. 부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?
- ① 이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
- ② 이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
- ③ 이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
- ④ 이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.
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43. 어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 86[dB]이고 차신호에 대한 전압이득(Ad)이 100000이라고 할 때, 이 차동증폭기의 동상신호에 대한 이득(Ac)은 얼마인가?
- ① 5
- ② 10
- ③ 50
- ④ 100
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44. mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
- ① 4개
- ② 6개
- ③ 12개
- ④ 24개
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45. 다음 논리 게이트 중 Fan-out이 가장 큰 것은?
- ① RTL(Resistor-Transistor-Logic) 게이트
- ② TTL(Transistor-Transistor-Logic) 게이트
- ③ DTL(Diode-Transistor-Logic) 게이트
- ④ DL(Diode-Logic) 게이트
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46. 다음 연산증폭회로에서 출력 e0의 식은? (단, R1=R2, R3=R4이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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47. 부성저항 특성을 이용하여 발진회로에 응용 가능한 소자는?
- ① CdS
- ② 서미스터
- ③ 터널 다이오드
- ④ 제너 다이오드
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48. 다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?
- ① τ/B
- ② E/B
- ③ τ/T
- ④ E/T
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49. 다음 차동증폭기 회로의 출력 Vo로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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50. 수정 발진기의 주파수 안정도가 양호한 이유 중 옳지 않은 것은?
- ① 수정면의 Q가 매우 높다.
- ② 수정 진동자는 기계적으로 안정하다.
- ③ 수정부분이 발진조건을 만족시키는 유도성 주파수 범위가 매우 좁다.
- ④ 부하 변동의 영향을 전혀 받지 않는다.
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51. 다음 그림과 같은 연산회로의 출력전압 Vo는?
- ①
- ②
- ③
- ④
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52. 다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 150이다.)
- ① 2.2[V]
- ② 3.6[V]
- ③ 5.6[V]
- ④ 6.5[V]
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53. 다음 중 수정 발진회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
- ① 발진주파수의 가변이 용이하다.
- ② 발진주파수의 안정도가 매우 높다.
- ③ 초단파 이상의 주파수 발진이 곤란하다.
- ④ 기계적으로나 물리적으로 매우 안정하다.
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54. 다음 회로에서 콘덴서 C의 역할은?
- ① 중화용
- ② 기생진동방지용
- ③ Peaking용
- ④ 저주파특성 개선용
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55. 다음 트랜지스터 소신호 증폭기의 입력(Ri) 및 출력(Ro) 임피던스는 어느 값에 가장 가까운가? (단, hie=1[kΩ], hfe=100이다.)
- ① Ri=4[Ω], Ro=1[kΩ]
- ② Ri=30[Ω], Ro=102[kΩ]
- ③ Ri=102[kΩ], Ro=30[Ω]
- ④ Ri=1[kΩ], Ro=4[Ω]
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56. 다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα와 fβ의 관계식은? (단, αo: CB의 저주파 단락 전류 증폭률, βo: CE의 저주파 단락 전류 증폭률)
- ① fβ=βofα
- ② fβ=(1+αo)fα
- ③
- ④ fβ=fα(1-βo)
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57. JK 플립플롭의 입력을 1로 하면 무엇이 되는가?
- ① RS 플립플롭
- ② D 플립플롭
- ③ T 플립플롭
- ④ RS 마스터 슬리브 플립플롭
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58. 증폭기의 궤환에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ① 부궤환을 걸어주면 전압이득은 감소하지만 대역폭이 증가하고 신호왜곡이 감소한다.
- ② 궤환신호(전류 또는 전압)가 출력전압에 비례할 때 전압궤환이라 한다.
- ③ 출력전압 또는 전류에 비례하는 궤환전압이 입력신호 전압에 직렬로 연결되는 경우 직렬궤환이라 한다.
- ④ 직렬궤환과 병렬궤환이 함께 사용된 것을 복합궤환이라 한다.
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59. 다음 중 연산증폭기를 이용한 시미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?
- ① 톱니파를 만들기 위해
- ② 정전기를 방지하기 위해
- ③ 입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여
- ④ 입력전압 등 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여
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60. IDSS=25[mA], VGS(off)=15[V]인 p 채널 JFET가 자기 바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω]인가? (단, VGS=5[V]이다.)
- ① 320[Ω]
- ② 450[Ω]
- ③ 630[Ω]
- ④ 870[Ω]
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4과목 : 물리전자공학
61. PN 접합에 관한 다음의 설명 중 옳은 것은?
- ① 공간 전하 영역은 역방향 바이어스가 커지면 넓어진다.
- ② PN 접합에 순방향 바이어스를 가하면 공핍층 근처에 소수캐리어 밀도가 감소한다.
- ③ 불순물의 농도를 증가시키면 공간 전하영역이 넓어진다.
- ④ PN 접합부에 전계가 발생하고 이는 확산을 가속화시킨다.
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62. 순수 반도체가 절대온도 0[K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 가장 바르게 설명한 것은?
- ① 소수의 정공과 소수의 자유전자를 가진다.
- ② 금속 전도체와 같은 행동을 한다.
- ③ 많은 수의 정공을 갖고 있다.
- ④ 절연체와 같이 행동한다.
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63. 쇼트키(schottky) 다이오드는 어떠한 접촉에 의하여 이루어지고 있는가?
- ① 금속과 금속의 접촉
- ② 금속과 반도체의 접촉
- ③ 기체와 반도체의 접촉
- ④ 반도체와 반도체의 접촉
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64. α차단 주파수가 10[MHz]인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 [kHz]인가? (단, α=0.98이다.)
- ① 100
- ② 150
- ③ 204
- ④ 408
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65. 0℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가? (단, 볼츠만 상수 K=1.38×10-23[J/°K]이다.)
- ① 2.69×1025[m-3]
- ② 7.2×1025[m-3]
- ③ 5.45×1020[m-3]
- ④ 11.4×1022[m-3]
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66. 열전자를 방출하기 위한 재료로서 적합하지 않은 것은?
- ① 일함수가 작을 것
- ② 융점이 낮을 것
- ③ 방출 효율이 좋을 것
- ④ 진공 중에서 쉽게 증발되지 않을 것
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67. 서미스터에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ① 반도체의 일종이다.
- ② 정(正)의 온도계수를 갖는다.
- ③ 온도에 따라 저항값이 변하는 소자다.
- ④ 바이어스 안정화 회로 등에 사용한다.
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68. 어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 정하량 Q=1.6×10-19[C]이다.)
- ① 6.25×1016 [개]
- ② 6.25×1018 [개]
- ③ 6.25×1020 [개]
- ④ 6.25×1022 [개]
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69. 트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게하는 이유는?
- ① 순방향 특성을 개선하기 위하여
- ② 고주파 특성을 개선하기 위하여
- ③ 역방향 내전압을 증가시키기 위하여
- ④ 구조를 간단히 하고 소형화시키기 위하여
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70. 전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule) 인가?
- ① 9.109×10-31
- ② 1.759×10-11
- ③ 1.602×10-19
- ④ 6.547×10-34
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71. 반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?
- ① 원 운동
- ② 불규칙 운동
- ③ 포물선 운동
- ④ 타원 운동
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72. 반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ① 홀 효과가 크다.
- ② 빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
- ③ 불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
- ④ 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
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73. 균등자계 B내에 수직으로 속도 v로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
- ① 원운동의 주기는 4배가 된다.
- ② 원운동의 각속도는 2배가 된다.
- ③ 원운동의 반경은 변하지 않는다.
- ④ 원운동의 주기는 변하지 않는다.
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74. 다음 중 물질의 구성과 관계없는 요소는?
- ① 광자
- ② 중성자
- ③ 양자
- ④ 전자
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75. 반도체에서의 확산전류 밀도 J는? (단, n은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, D는 확산 정수, x는 거리이며, 1차원적인 구조의 경우를 생각한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
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76. 자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채운다. 이러한 과정을 무엇이라 하는가?
- ① 열적 평형
- ② 확산(diffusion)
- ③ 수명시간(life time)
- ④ 재결합(recombination)
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77. 터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?
- ① 역방향에서만 발생
- ② 정전압이 높을 때만 발생
- ③ 바이어스가 영(zero)일 때 발생
- ④ 아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생
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78. 쉬뢰딩거(Schröinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ① 전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.
- ② 전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.
- ③ 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화 된다.
- ④ 깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파의 정재파이다.
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79. 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되는 통계 방식의 종류는?
- ① Maxwell-Boltzmann 통계
- ② Bose-Einstein 통계
- ③ Fermi-Dirac 통계
- ④ Gausian 통계
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80. 페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?
- ① 불순물 반도체
- ② 순수 반도체
- ③ P형 반도체
- ④ N형 반도체
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5과목 : 전자계산기일반
81. 다음은 Booth Algorithm을 나타내는 순서도이다. 빈칸(1)과 (2)에 알맞은 내용을 순서대로 나타낸 것은? (단, A: Accumulator, M: 피승수, Q: 승수, n: 계수)
- ① (1): A = A - M (2): A = A - M
- ② (1): A = A + M (2): A = A - M
- ③ (1): A = A - M (2): A = A + M
- ④ (1): A = A + M (2): A = A + M
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82. 컴퓨터 시스템에서 입출력 속도를 높이기 위해서 마이크로프로세서의 제어를 받지 않고 직접 메모리를 Access하는 방법은?
- ① Input/Output Interface 방식
- ② Direct I/O Control 방식
- ③ Indirect Microprocessor Control 방식
- ④ DMA(Direct Memory Access) 방식
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83. 범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합 또는 조직적으로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시프로그램, 목적 프로그램들을 분류하여 기억하고 있는 것은?
- ① Problem State
- ② PSW(Program Status Word)
- ③ Interrupt
- ④ Program library
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84. 다음은 C 언어에 관한 설명이다. 옳지 않은 것은?
- ① C 언어의 기원은 ALGOL에서 찾을 수 있다.
- ② 뛰어난 이식성을 가지고 있다.
- ③ 분할 컴파일이 가능하다.
- ④ 주로 상위 레벨 프로그래밍 위주의 고급 언어이며 하위 레벨의 비트조작 기능과는 관계가 없다.
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85. 기억장치에 기억된 자료의 내용 또는 그의 일부에 의해서 기억되어 있는 위치에 접근하여 자료를 읽어내는 장치는?
- ① Associative Memory
- ② Cache Memory
- ③ Virtual Memory
- ④ Extensive Memory
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86. BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구하면? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)
- ① 1000011
- ② 0100101
- ③ 0011001
- ④ 0110010
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87. 10진수 25의 그레이 코드(Gray Code)는 얼마인가?
- ① 11001
- ② 11101
- ③ 10101
- ④ 10001
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88. 다음의 2진수 연산은 어떤 논리연산인가?
- ① AND
- ② OR
- ③ EX-OR
- ④ XNOR
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89. 기억장치로부터 인출된 명령어코드가 제어 유니트에 의해 해독되기 전에 일시적으로 저장되어 있는 레지스터는?
- ① 프로그램 카운터(PC)
- ② 명령어 레지스터(IR)
- ③ 누산기(AC)
- ④ 메모리 주소 레지스터(MAR)
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90. 수평 마이크로프로그램의 특징이 아닌 것은?
- ① 하드웨어를 효율적으로 사용할 수 있다.
- ② 데이터 해독에 따른 시간지연이 발생하지 않는다.
- ③ 제어기억장치의 사용 용량이 작아진다.
- ④ 마이크로명령어의 길이가 증가한다.
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91. 가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
- ① 10
- ② 12
- ③ 14
- ④ 16
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92. 중앙처리장치 내의 부동소수점 연산만을 전문적으로 수행하는 장치는?
- ① coprocessor
- ② RAM
- ③ ROM
- ④ USB
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93. 다음 RAID 중 대형 레코드가 많이 사용되는 업무에서 단일 사용자시스템에 적합한 것은?
- ① RAID-1
- ② RAID-2
- ③ RAID-3
- ④ RAID-4
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94. JAVA 같은 객체지향 언어의 개념에서 객체가 메시지를 받아 실행해야 할 구체적인 연산을 정의한 것은?
- ① 클래스
- ② 인스턴스
- ③ 메소드
- ④ 상속자
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95. 음수를 표현하는데 있어서 부호화된 2의 보수법이 1의 보수법에 대하여 갖는 장점은?
- ① 양수 표현에 있어 유리하다.
- ② 보수를 취하기가 쉽다.
- ③ 산술연산속도가 느리다.
- ④ 2의 보수에서는 올림수가 발생하면 무시한다.
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96. 서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?
- ① STACK
- ② QUEUE
- ③ Linked List
- ④ Tree 구조
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97. 인스트럭션 수행시간이 30[ns]이고, 인스트럭션 페치시간이 4[ns], 인스트럭션 준비시간이 2[ns]이라면 인스트럭션의 성능은 얼마인가?
- ① 5
- ② 0.5
- ③ 2
- ④ 0.2
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98. 다음 그림과 같은 주소 지정방식은?
- ① 직접데이터 지정방식
- ② 상대주소 지정방식
- ③ 간접주소 지정방식
- ④ 직접주소 지정방식
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99. 마이크로 사이클의 동기 가변식(synchronous variable)에 대한 설명으로 옳은 것은?
- ① 제어가 간단하다.
- ② 모든 마이크로 오퍼레이션의 수행 시간이 비슷할 때 유리하다.
- ③ 마이크로 오퍼레이션의 수행 시간 차이가 클 때 이용되는 방식이다.
- ④ 모든 마이크로 오퍼레이션 중 가장 긴 것을 마이크로 사이클 타임이라 한다.
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100. 다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?
- ① 6
- ② 5
- ③ 4
- ④ 2
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